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D類音頻功率放大器較大的特色是高效率，高效率的優(yōu)點是省電及降低發(fā)熱量。如果功放的效率是90%而晶片的封裝可以散熱1W，則這個功放可以輸出大約10W的功率，這対系統(tǒng)設(shè)計提供極大的方便。
D類功率放大器的效率可以由不同角度來看。高效率主要原因來自輸出功率電晶體低的導通電阻Rds(on)，如果導通電阻為0.4歐姆而喇叭阻抗是4歐姆那輸出電晶體的效率等于91%。但是功放還有其他消耗，這包括類比電路的消耗，類比転數(shù)字的混合電路消耗及數(shù)字電路的消耗。這些消耗表現(xiàn)在無載靜態(tài)電流Iq。如果電源電壓5V而Iq是5mA，則靜態(tài)消耗功率是25mW。所以計算功放的效率需要同時考慮靜態(tài)消耗與輸出電晶體的消耗兩個因素。
如果加上負載而輸出25mW的功率且輸出功率電晶體的效率是90%則功率電晶體的消耗大約2.5mW。所以輸出25mW的狀況下總消耗功率包括靜態(tài)消耗，功率電晶體消耗及輸出功率，亦即25mW+25mW+2.5mW=52.5mW，此刻的效率就是25mW/52.5mW=48%。以同樣的方式計算如果輸出250mW則總消耗功率是25mW+250mW+25mW=300mW，此刻的效率是250mW/300mW=83%。同樣的如果輸出2.5W則總消耗功率是25mW+2.5W+250mW=2.775W，此刻的效率是2.5W/2.775W=90%，接近輸出功率電晶體的效率。所以輸出功率小的時候輸出電晶體的消耗可以忽略而輸出功率大的時候靜態(tài)消耗可以忽略。
如果負載等于4歐姆效率高于90%的輸出電晶體其導通電阻只有0.4歐姆或更小，如果是BTL的雙端輸出，Rds(on)是由一個PMOS及一個NMOS造成，每個MOS大約只有0.2歐姆的導通電阻所以容易造成量測誤差。量測的時候大電流路徑要選用粗線同時要焊接以降低接線電阻。抽取大電流時要維持電源電壓的穩(wěn)定。由于輸出功率電晶體導通電阻的量測容易產(chǎn)生誤差且其阻值與量測條件例如電流量或電壓有關(guān)，較好觀查輸出功率電晶體效率的方法是查看效率曲線的大輸出功率端的效率，這一點的效率非常接近輸出功率電晶體效率，但要注意的是此曲線必須是在使用電阻負載的條件下取得。
如果Pi代表電源輸入功率，Pq代表靜態(tài)消耗功率，Po代表輸出功率，Emos代表輸出功率電晶體的效率而Eff代表總效率，則其相互關(guān)系為
Po=(Pi-Pq)xEmos及Eff=Po/Pi
合并上述公式,則總效率
Eff=(PoxEmos)/(Po+EmosxPq)
如果輸出功率Po與靜態(tài)消耗功率Pq的比是Poq，則
Eff=(PoqxEmos)/(Poq+Emos)
這個簡單的公式可以容易觀察輸出功率與總效率的關(guān)系。
所以如果功率電晶體的效率Emos=90%且輸出功率Po是靜態(tài)消耗功率Pq的10倍，亦即Poq=10，則總效率Eff=(10x0.9)/(10+0.9)=83%。
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